东微半导:积极布局第三代功率半导体产品,SiC研发项目稳步推进

导读今天关于东微半导:积极布局第三代功率半导体产品,SiC研发项目稳步推进这方面的信息是受到的大家的关注度比较高,很多人也是想看看东微...

今天关于东微半导:积极布局第三代功率半导体产品,SiC研发项目稳步推进这方面的信息是受到的大家的关注度比较高,很多人也是想看看东微半导:积极布局第三代功率半导体产品,SiC研发项目稳步推进具体的详情,那么小编今天也是特地在网上收集了一些关于这方面的信息内容来分享给大家,大家感兴趣的话可以接着看下面的文章。

东微半导近期接受投资者调研时称,报告期内,公司持续进行新技术开发工作,遵循公司技术路线图稳步推进各项技术迭代,在高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET及TGBT产品领域积极进行新一代技术开发,有序推进产品从8英寸转12英寸的工艺平台拓展工作,进展顺利。在TGBT产品领域,公司加强对自有知识产权技术Tri-gateIGBT技术研发力度,产品顺利通过多个客户验证并被批量使用,迅速实现了高性能 IGBT 产品的国产化替代。公司第二代Tri-gateIGBT技术开发成功,产品性能进一步提升。同时,公司积极布局第三代功率半导体产品,SiC研发项目稳步推进。

免责声明:本文由用户上传,如有侵权请联系删除!