SK海力士：成功研发全球首款业界最高层数NAND闪存，拟2023年量产今天的热度非常高，现在也是在热搜榜上了，那么具体的SK海力士：成功研发全球首款业界最高层数NAND闪存，拟2023年量产是什么情况呢，大家可以一起来看看具体都是怎么回事吧。

今天关于SK海力士：成功研发全球首款业界最高层数NAND闪存，拟2023年量产这方面的信息是受到的大家的关注度比较高，很多人也是想看看SK海力士：成功研发全球首款业界最高层数NAND闪存，拟2023年量产具体的详情，那么小编今天也是特地在网上收集了一些关于这方面的信息内容来分享给大家，大家感兴趣的话可以接着看下面的文章。

8月3日，SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。公司表示，此次238层NAND闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。