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韩联社7月25日消息，三星电子25日在京畿道华城厂区内的极紫外光刻（EUV）专用V1生产线举行了适用新一代全环绕栅极（GAA）技术的3纳米芯片产品出厂纪念活动。

韩产业通商资源部长官李昌洋、三星电子DS本部长庆桂显以及员工和合作商有关人士共100多人出席活动。三星电子上月底宣布全球首款基于GAA技术的3纳米工艺半导体产品投入量产。3纳米工艺是半导体制作工程中最为尖端的制程技术。与此前使用鳍式场效应晶体管（FinFET）的芯片相比，新产品采用芯片面积更小、电耗减少、性能提升的GAA技术。

三星电子将首次把3纳米GAA工艺用于高性能计算机群（HPC），并计划与主要合作商携手将其扩至移动系统级芯片（SoC）等多种产品群。三星电子计划继华城厂区之后，在平泽厂区也投入量产GAA3纳米芯片。