目前只有两家独立的代工厂能够制造尖端芯片。这两家公司是台积电和三星代工。独立代工厂采用其他公司创建的芯片设计，并根据该设计制造实际芯片。台积电和三星都在使用他们的3nm工艺节点来构建芯片。使用的工艺节点越小，芯片内的晶体管数量就越多。

这一点很重要，因为芯片中使用的晶体管越多，芯片的功能和能源效率就越高。每两年左右，工艺节点就会变得更小，并且集成电路中可以容纳更多的晶体管。这就是你听说过的著名的“摩尔定律”，以英特尔和飞兆半导体联合创始人戈登·摩尔的名字命名。请记住，这不是一个实际的定律，并且随着越来越小的组件被制造出来，这种“观察”不再可以完全指望每隔一年将晶体管数量翻一番。

尽管如此，随着时间的推移，您可以看到“摩尔定律”如何预测多年来处理能力的惊人增长。让我们以iPhoneX为例，它于2017年11月发布，搭载AppleA10仿生芯片组。后者在每个芯片中携带43亿个晶体管。现在让我们继续讨论采用A15仿生芯片组的2021年iPhone13系列。A15Bionic包含150亿个晶体管，比A14Bionic芯片使用的118亿个晶体管增加了27.1%。

所以现在三星和台积电正在为第三方制造芯片的业务争夺霸主地位。台积电在大多数指标中排名第一，其客户名单包括苹果(其第一大客户)、联发科、英伟达、高通等顶级科技公司。但根据ExtremeTech的说法，三星似乎很快就会击败台积电，下周开始量产使用其3nm工艺节点制造的芯片，而台积电将在今年晚些时候开始量产3nm。

此外，三星将在其3nm芯片上使用一种新的晶体管结构，称为GAA或门极环。使用这种结构，电流的流动由在所有四个侧面接触晶体管的栅极控制。台积电将继续使用自22nm工艺节点推出以来一直存在的FinFET结构。台积电在2026年开始出货2nm芯片时，最终将放弃GAA的FinFET。

三星的GAA设计称为多桥通道场效应晶体管(MBCFET)，也称为纳米线。这是目前仅有的两种不同的环栅设计之一，第二种是GAAFET或纳米线。

该报道援引韩国一家主要通讯社的话说，三星有望在短期内就其3nm芯片生产发表重大声明。它还指出，从FinFet转向全环栅极将使芯片面积减少45%，以帮助实现30%的性能提升，同时将能耗降低50%。但是，有一个大问题。据报道，三星在3nm工艺上的良率仅为10%至20%，这意味着其从晶圆上切割的绝大多数3nm芯片芯片无法通过质量控制。

早在2月份，一份报告显示三星的4nm生产良率仅为35%，导致三星失去了芯片设计商高通的部分业务。据称后者将其中一些订单转移到台积电。但是，如果三星代工即将宣布开始在3nm工艺节点上进行大批量制造(HVM)，那么人们可能会得出结论，三星代工已经提高了3nm的良率。

谈到3nm，Digitimes报道称，台积电的主要客户AMD、苹果、博通、英特尔、联发科、Nvidia和高通等已经开始排队购买3nm产能。当然，接下来是台积电和三星都在研究的2nm工艺节点。另一个名字有望加入台积电和三星的尖端代工厂名单。英特尔首席执行官PatGelsinger宣布，这家美国公司将在2025年之前从三星和台积电手中夺回制程领导地位。