通过采用TSV和HKHG等技术，三星现在能够将DDR5模块容量提高到512 GB。这些模块是为数据中心设计的，其速度是当前任何DDR4解决方案的两倍。具有更多“脚踏实地”功能的台式机版本也应在今年年底推出。

美光(Micron)和SK海力士(SK Hynix)已经宣布了他们的DDR5实施方案，预计将于今年由ADATA，Team Group或Kingston等集成商推出。现在，三星正介入，宣布自己采用DDR5标准。作为领先的先进内存技术制造商，三星正在推出业界首个专为带宽密集型计算应用设计的512 GB DDR5 RAM模块。通过使用诸如TSV(硅通孔)和HKMG(高K金属栅极)之类的技术，可以实现如此大的容量。

三星并未提及新的512 GB DDR5模块的确切频率，但指定它们可以提供当前DDR4模块两倍的性能，达到7200 Mbps的峰值速度，这将极大地改善超级计算，人工计算中高带宽工作负载的数据传输。智能(AI)和机器学习(ML)以及数据分析应用程序。

HKMG工艺于2018年首次在三星的GDDR6内存中实现。这种技术通常用于处理器裸片，其缩小速度比其他任何组件都要快(现在已经为5 nm，而RAM则为10 nm)。DDR5允许增加缩放功能，但是传统的绝缘层变得太薄，导致更大的泄漏电流。通过用HKMG材料代替绝缘子，三星的DDR5将能够减少泄漏并达到新的性能高度。此外，HKMG材料还将使RAM模块的能耗降低13%。

通过最新的TSV迭代，三星现在能够在每个DRAM芯片上堆叠8层16 Gb。因此，每个DRAM芯片都具有16 GB的容量，因此512 GB的总容量将需要32个芯片。但是，三星提供的图像显示每个模块实际上集成了40个芯片，总容量为640 GB。由于这些模块主要是为数据中心设计的，因此这些DRAM芯片中有8个用于ECC(纠错码)。