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IGBT的汉语名为绝缘栅双极型晶体管，其是由一个MOS场效应管和一个大功率双极型三极管组合而成的，内部等效电路与复合管相似，可以看成是一个MOS管和一个大功率三极管构成的复合管。▲ IGBT等效电路及图形符号。

从上图可见，IGBT的输入端就是一个MOS场效应管，其输出端为一个双极型三极管。其输入特性与MOS场效应管相似，属于电压控制（输入电流极小），这样可以减小前级驱动电路的负担；其输出特性与双极型三极管相似，在大电流下具有较小的饱和压降。

IGBT和场效应管皆为电压控制器件，工作时从前级电路汲取的电流很小（μA级），它们都具有良好的高频性能。IGBT多用于高电压、大电流场合，而在低电压大电流下，VMOS场效应管则更具有优势。此外，场效应管的高频性能比IGBT更好，并且价格也比IGBT便宜。▲ FGA25N120的外形及引脚排列。

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上图为电磁炉上常用的25N120功率管，其电流为25A，BVceo为1200V，Pc为310W，饱和压降为5V。▲ 场效应管的图形符号。▲ TO-220封装的10N60场效应管。

10N60为TO-220封装的N沟道场效应管。其漏极电流为10A，耐压值为600V，导通电阻Rds为0.73Ω。

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