导读8月18日消息,据国外媒体报道,本月2日,SK海力士在官网上宣布,他们已经研发出了238层NAND闪存,计划在明年上半年开始量产。从SK海力士...
8月18日消息,据国外媒体报道,本月2日,SK海力士在官网上宣布,他们已经研发出了238层NAND闪存,计划在明年上半年开始量产。
从SK海力士方面公布的消息来看,他们所研发出的是238层512Gb TLC 4D NAND闪存,在达到业界最高堆栈层数的同时,实现了全球最小的面积。
SK海力士新研发出的238层512Gb TLC 4D NAND闪存,是他们在2020年12月份研发出176层的NAND闪存之后,时隔19个月再次取得突破。
从SK海力士方面公布的消息来看,虽然他们的238层NAND闪存计划在明年上半年才会量产,但他们已在为商用做准备,他们已经向客户提供了样品。
SK海力士所研发出的238层512Gb TLC 4D NAND闪存,计划率先用于cSSD(client SSD,主要应用范围为PC用存储设备),随后将其逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器SSD等。
而在研发出238层512Gb TLC 4D NAND闪存后,SK海力士还计划研发密度更大的238层NAND闪存,他们在官网上就表示,计划在明年推出1Tb密度的全新238层NAND闪存产品。