虽然智能手机的存储容量是消费者最重要的卖点之一，但存储类型却经常被忽视。大多数Android智能手机(和许多电子产品)使用UFS(通用闪存)，现在大多数旗舰使用3.0或3.1UFS存储。

周二，三星推出了UFS4.0，它使用三星的Gen7V-NAND内存和专有控制器，顺序读取速度高达4,200MB/s，顺序写入速度高达2,800MB/s。与上一代相比，新的存储技术还将在顺序读取速度方面提供46%的能效提升。

每通道，UFS4.0支持每通道高达23.2Gbps，是UFS3.1的两倍。三星称其“带宽非常适合需要大量数据处理的5G智能手机”，并希望看到该技术在VR、AR和汽车应用中得到采用。

新的存储技术可以配置为支持高达1TB的存储，因此我们希望这意味着我们将开始看到更多配备512GB和1TB容量的智能手机。

三星预计UFS4.0存储的大规模生产将在第三季度开始，因此我们可以期待看到智能手机在年底前采用这项新技术，或者在2023年第一季度推出的GalaxyS23系列上。阅读完整的Twitter线程到阅读三星关于UFS4.0的完整公告。