导读相信小伙伴们现在对于互联网、科技、数码方面的信息获取都是比较需要的吧,因为如今我们的生活当中处处都充满了互联网、科技、数码,那么
相信小伙伴们现在对于互联网、科技、数码方面的信息获取都是比较需要的吧,因为如今我们的生活当中处处都充满了互联网、科技、数码,那么今天小编就来为大家分享一些关于到互联网、科技、数码方面的信息吧。
据国内媒体报道,近日我国半导体企业伏达半导体(NuVolta Technologies)推出了第二代电荷泵快充芯片产品,型号为“NU2205”。
根据官方介绍,伏达NU2205是目前业界功率最高的单芯片电荷泵快充芯片,充电功率可达100W,同时也是我国目前唯一支持双电芯4:2电荷泵快充架构的芯片。
伏达表示,这款芯片的成功研发将有利于打破国外厂商在双电芯快充行业的垄断。
国产第二代电荷泵快充芯片发布
更重要的是,官方介绍该芯片未来还能为手机提供200W的双电芯快充方案,这也是目前市面上绝无仅有的最高功率快充。
另外,该芯片不仅在速度上做到了绝对领先,并且还能全程保证较低的发热量,官方称在25°C环境温度条件下,16V输入时,2节电池在10A和20A大电流下充电,温升分别对应44.9°C/46.8°C。
值得一提的是,伏达官方在展示这款芯片时,用上了小米11/11 Pro的机身图片,这似乎侧面证明了双方的合作关系,而小米更是有望首发量产版的伏达200W充电技术。
据悉,早在5月份小米就正式宣布,小米11 Pro魔改版打破两项世界纪录。其中有线充电做到200W的功率,8分钟充100%,号称将有线充电首次拉进10分钟时代。
当时,小米官方并未公布具体实现方案,而现在看来很大几率就是搭载了伏达NU2205配备的双电芯方案。