台积电在其2022年台积电技术研讨会上详细介绍了其芯片开发时间表。这家台湾芯片制造商将在今年下半年推出3nm芯片，并将在2025年将2nm技术推向世界舞台。

3nm节点将分为五层，每层都更强大、晶体管密度更高、效率更高——N3、N3E(增强型)、N3P(性能增强型)、N3S(密度增强型)和N3X(超高性能)。

至于2nm节点，与N3E节点相比，它在相同的功耗下将性能提升10%至15%，并在相同的频率和晶体管数量下将功耗降低25%至30%。N2使芯片密度比N3E提高1.1倍。

台积电推出了GAAFET(环栅场效应晶体管)。新的纳米片晶体管将通过降低电阻来提高每瓦性能。

与此同时，三星代工也将在2022年开始量产3nm芯片，但也计划在2025年开始生产2nm芯片。