瑞萨电子(Renesas Electronics)通过RE01 Group扩展了其嵌入式系统RE控制器系列，该系列汇集了基于Arm Cortex-M0内核的超低功耗薄层硅氧化物(SOTB)模型。它们内置多达128 KB的SRAM，多达256 KB的闪存和一个支持高达1.5 MB闪存的闪存控制器。这些芯片旨在用于智能家居，环境感应，结构健康监测和可穿戴设备的紧凑型IoT设备中。

RE01组R7F0E01182xxx系列产品包括以最高64 MHz的频率运行的型号。新控制器的优势包括高能效。在活动模式下，该频率的每1 MHz电流消耗为25μA，在待机模式下为400 nA。通过使用瑞萨ISL9123外部降压稳压器，功耗可以进一步降低至12μA/ MHz。

该范围包括约3毫米的模型72针外壳WLBGA区域2，约7毫米的56引脚壳体QFN区2，一个100引脚壳体LQFP面积大约14毫米2和64引脚壳体LQFP面积约为10mm 2 ... 控制器设计用于1.62-3.6 V的电源电压。

试用控制器已经可用。瑞萨计划于7月底开始批量生产。采用LQFP封装的R7F0E01082CFM的估计价格为每10,000件批量每片3.33美元。EK-RE01开发套件应于8月上市。