SiliconPowerDDR5UDIMM本月，SiliconPower推出了其全新的UDIMM内存模块，该模块采用最新的DDR5技术，速度高达4800MHz，是多核CPU的完美组合，可提供极高的响应能力和无缝执行多任务的能力，SiliconPower称。

“即使拥有所有额外的功率，这款DDR5模块仍通过模块上的电压调节对其前身进行了改进。电源管理集成电路(PMIC)减轻了主板控制的负担，并导致1.1V的电压低于DDR4的1.2V，从而降低了功耗。这款DDR5模块的尖端技术进一步提高了速度、容量和可靠性，为您的系统性能提供了更高水平的优势。凭借4800MHz的极快速度，它比标准3200MHzDDR4快1.5倍，为多核CPU提供极快的响应能力和无缝执行多任务的能力。”

SiliconPowerDDR5UDIMM

–与DDR4相比，芯片单元容量翻倍(从16GB到32GB)，可实现无缝多任务处理

–与带片上纠错码(ECC)的DDR4相比提高了可靠性

–每个模块具有两个独立的32位通道，优化了效率

–高与DDR4相比，存储库和突发长度加倍的计算性能

–4800MHz提供比DDR4更快的传输速度和更高的带宽

–提供8GB、16GB和32GB模块密度

–比DDR4快2倍以上，为多核CPU提供极快的响应

速度–与DDR4相比，芯片单元容量翻倍(从16GB到32GB)，可实现无缝多任务处理

–1.1V的低电压可降低功耗

–与带片上纠错码(ECC)的DDR4相比提高了可靠性

–每个模块有两个独立的32位通道优化了效率

–与DDR4相比，存储库和突发长度增加了一倍，计算性能高

–兼容第12代英特尔酷睿支持DDR5和DDR5兼容主板的处理器

“与DDR4的16GB芯片单元容量相比，这款DDR5模块通过封装更多的银行和银行组将该数量翻了一番，达到32GB。这允许一次打开更多页面，因此您可以提高工作效率，而不必担心系统会因一次打开太多选项卡而变慢。这还不是全部翻倍——这个DDR5模块的最小突发长度高达16，而DDR4为8。这提高了数据总线效率，在总线上提供两倍的数据，从而减少了访问同一缓存数据线的读/写次数。”

“这款DDR5模块引入了On-DieECC(纠错码)，这是一项旨在实时纠正DRAM芯片内的位错误的新功能。通过这样做，这项先进的技术可以使您的系统保持可靠稳定，同时自动纠正数据错误。为了获得更高的性能，这款DDR5模块的每个模块具有两个独立的32位通道。与DDR4的单通道相比，将其一分为二提高了效率并降低了内存控制器的数据访问延迟，从而提高了效率。”