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2019-9-10 09:41 上传

快闪记忆体领导厂商 Toshiba Memory 东芝记忆体，在客户级 SSD 产品中，有着採用 96 层 BiCS TLC 的高效能 XG6 SSD 系列外，还有一款独一无二的袖珍 SSD 产品「BG4」，採用精巧的单一封装，不仅容量可达 1024GB，更支援着 NVMe 1.3b、PCIe 3.0 x4 通道，仅 M.2 2230 的尺寸，让需要节省空间的笔电，可有着小尺寸、高效能的 SSD 选择。

Toshiba Memory 东芝记忆体即将在今年 10 月 1 日起，正式更名为「铠侠（KIOXIA）」，由日语的“记忆（kioku）”和希腊语的“价值（axia）”组合而成，融合记忆与价值成为公司愿景的基石。

规格
容量：128GB、256GB、512GB、1024GB
尺寸：M.2 2230 Key M
介面：PCIe Gen3 x4、NVMe 1.3b
记忆体颗粒：96-layer 3D BiCS FLASH TLC
快取：主机记忆体缓冲（HMB）
MTTF：1,500,000 小时


第四代单一封装球栅阵列（BGA）固态硬碟 BG4

Toshiba Memory 在今年 CES 消费性电子大展上，发表了第四代採用单一封装球栅阵列（BGA）固态硬碟，产品命名为「BG4」系列。BG4 係将最新型的 96 层 BiCS TLC 快闪记忆体与 SSD 控制器一同封装于 16mm x 20mm 的尺寸内，有着小巧、多容量与高速的出色表现。

BG4 採用 DRAM Less 的设计，藉由主机记忆体缓冲（HMB）功能，不仅可维持着高效能，更能符合成本效益，使其成为全世界最袖珍的 SSD 固态硬碟，工作时只需要 3.7W 即可运作，可做为轻薄笔电、物连网 / 嵌入式装置或伺服器及储存阵列的开机磁碟。


↑ BG4 採用 HMB 设计，并维持着高效能的表现。


BG4 相较于上一代 BG3 产品，主要更新 96 层 3D NAND TLC 快闪记忆体，不仅让最大容量达到 1024GB 之外，更升级 NVMe 1.3b 支援着 HMB 功能，以及 PCIe Gen 3 x4 通道，让性能、容量同时升级。

说到 Toshiba Memory 所研发的 BiCS FLASH，其藉由垂直堆叠的 3D 快闪记忆体，让 BiCS FLASH 可轻易提升单位面积下的颗粒密度，并持续优化电路技术及製程，打造出 96 层堆叠的 BiCS FLASH，其单位面积储存空间，已达到 64 层 BiCS FLASH 的 1.4 倍。


↑ Toshiba Memory BG4 SSD 正面，于颗粒上贴着产品标籤。


↑ 背面则没有任何零件。


而 BG4 系列支援 4 种容量：128GB、256GB、512GB 与 1024GB，并都提供 BGA M.2 1620 表面黏贴设计或常见的 M.2 2230 可拆式模组；藉由下表快速比较，可见 BG4 系列比起上代 BG3 在容量、效能与功耗上有着更多优势。

测量标準 BG3 系列BG4 系列BG4 优点PCIe Gen 3 通道数 x2 x4 通道数提升，整体性能大幅成长最高容量512GB1024GB同尺寸下有着更大的储存容量BiCS FLASH 支援 64 层96 层NAND 电压变动改善 33% 512GB BGA Z 高度 1.5mm1.3mm外型规格更精巧，适合行动装置顺序读取高达 1,635 MB/s 高达 2,336 MB/s 速度提高 43% 循序写入高达 482 MB/s 高达 1,815 MB/s 速度提高 277% 随机读取高达 174,000 IOPS 高达 349,000 IOPS 速度提高 100% 随机写入高达 31,000 IOPS 高达 56,000 IOPS 速度提高 80% 效能/耗电量比高达 0.97mW/MB/s 高达 0.78mW/MB/s 耗电量少 20%